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随着AI算力基础设施持续扩容，高端高带宽内存供需缺口持续拉大，行业涨价预期持续升温。供应链消息显示，受AI需求爆发与产能结构性紧缺双重影响，下一代HBM4内存价格预计在2027年实现翻倍上涨，存储行业将长期处于供不应求的景气周期。
据行业媒体DigiTimes援引业内爆料，2026年下半年HBM4单价维持在每Gb2美元左右，而到2027年，产品价格将攀升至每Gb4至5美元，部分场景售价还会进一步走高。本轮涨价并非短期市场炒作，而是由工艺门槛、产能损耗、长期订单锁定等多重硬性因素共同推动。
相较于传统内存产品，HBM4生产制造难度大幅提升，直接拉长量产周期、压低良品率。据悉，HBM4完整生产流程耗时4至6个月，新品量产初期工艺尚未完全成熟，良率远低于迭代成熟的存储产品。除此之外，HBM产能损耗极高，同等规格下，其占用的晶圆资源是普通DDR5内存的三倍，在晶圆厂整体产能固定的前提下，厂商可投产的HBM4产能被严重限制。
头部企业的长期锁单行为，进一步加剧了市场供应紧张局面。目前三星、SK海力士、美光三大全球存储巨头，纷纷与头部AI企业签订3至5年的长期供货协议，提前锁定海量HBM产能。行业预判，2027年全球将近半数DRAM产能将被长期订单锁定，中小终端客户将面临无货可订的困境，市场供需分化格局愈发明显。
算力硬件迭代也在倒逼HBM4加速普及，英伟达全新Rubin AI架构的落地推进，持续抬升高端HBM4的适配需求。不过存储厂商在产能切换上态度谨慎，存在明显的利润权衡考量。今年服务器端DDR5内存售价持续走高，部分厂商DDR5业务利润率突破80%，盈利表现十分亮眼。这也使得厂商只有在HBM4能够创造更高收益的前提下，才愿意关停传统DRAM产线、切换高端产能。为覆盖产线改造的机会成本，厂商也会主动稳住并推高HBM4售价，支撑行业高价格局。
长期供需失衡的行业格局，持续利好存储板块资本市场表现。近期SK海力士正式以美国存托凭证（ADR）登陆纳斯达克，完成品牌首次美股上市，本次发行规模达265亿美元，且其美股交易价格高于韩国本土市场，充分体现海外资本对AI存储赛道的长期看好。
本轮AI存储热潮早已带动行业个股估值大幅攀升，各大龙头企业股价迎来数倍涨幅。其中美光股价累计涨幅超700%，闪迪暴涨超3800%，SK海力士、三星电子涨幅分别突破630%、360%，行业赚钱效应显著。
针对市场短期出现的AI基建投资降温的担忧，供应链业内人士予以否认，明确2027年AI硬件整体仍将维持供不应求的状态。基于现有产能与订单格局，2026年底新一轮存储供货议价周期中，头部存储厂商将牢牢掌握定价主动权，而未提前锁定长期产能的消费电子企业，后续大概率会遭遇严重缺货、成本上涨的双重压力。